Электропроводность полупроводников Физика атомного ядра и элементарных частиц

Элементы квантовой механики и физики атомов, молекул, твердых тел

Контакт электронного и дырочного полупроводников

Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой — дырочную проводимость, называется электронно-дырочным переходом (или р-n-переходом). Эти переходы имеют большое практическое значение, являясь основой работы многих полупроводниковых приборов. р-n-Переход нельзя осуществить просто механическим соединением двух полупроводников. Обычно области различной проводимости создают либо при выращивании кристаллов, либо при соответствующей обработке кристаллов.

Полупроводниковые диоды (p-n-переход)

Пусть донорный полупроводник (работа выхода – Аn уровень Ферми - EFn) приводится в контакт (рис. 15.11, а, б) с акцепторным полупроводником (работа выхода - Ap, уровень Ферми - EFp). Электроны из n-полупроводника, где их концентрация выше, будут диффундировать в р-полупроводник, где их концентрация ниже. Диффузия же дырок происходит в обратном направлении - в направлении р → n.

В n-полупроводнике, из-за ухода электронов, вблизи границы остается некомпенсированный положительный объемный заряд неподвижных ионизованных донорных атомов.

В p-полупроводнике, из-за ухода дырок, вблизи границы образуется отрицательный объемный заряд неподвижных ионизованных акцепторов (рис. 15.11, а). Эти объемные заряды образуют у границы двойной электрический слой, поле которого, направленное от n-области к р-области, препятствует дальнейшему переходу электронов в направлении n → р и дырок в направлении р → n. Если концентрации доноров и акцепторов в полупроводниках n- и р-типа одинаковы, то толщины слоев d1 и d2 (рис. 15.11, в), в которых локализуются неподвижные

заряды, равны (d1 = d2).

Рис. 15.11.

При определенной толщине р-n-перехода наступает равновесное состояние, характеризуемое выравниванием уровней Ферми для обоих полупроводников (рис, 15.11, в). В области р-n-перехода энергетические зоны искривляются, в результате чего возникают потенциальные барьеры как для электронов, так и для дырок. Высота потенциального барьера eφ определяется первоначальной разностью положений уровня Ферми в обоих полупроводниках. Все энергетические уровни акцепторного полупроводника подняты относительно уровней донорного полупроводника на высоту, равную eφ, причем подъем происходит на толщине двойного слоя d.

Толщина d слоя р-n-перехода в полупроводниках составляет примерно 10-б - 10-7 м, а контактная разность потенциалов - десятые доли вольт. Носители тока способны преодолеть такую разность потенциалов лишь при температуре несколько тысяч градусов, т.е. при обычных температурах равновесный контактный слой является запирающим (характеризуется повышенным сопротивлением).

Сопротивление запирающего слоя можно изменить с помощью внешнего электрического поля. Если приложенное к р-n-переходу внешнее электрическое иоле направлено от n-полупроводника к р-полупроводнику (рис. 15.12, а), т.е. совпадает с полем контактного слоя, то оно вызывает движение электронов в n-полупроводнике и дырок в р-полупроводнике от границы р-n-перехода в противоположные стороны. В результате запирающий слой расширится и его сопротивление возрастет.

Направление внешнего поля, расширяющего запирающий слой, называется запирающим (обратным). В этом направлении электрический ток через р-п-переход практически не проходит. Ток в запирающем слое в запирающем направлении образуется лишь за счет неосновных носителей тока (электронов в р-полупроводнике и дырок в п-полупроводнике).

Если приложенное к р-п-переходу внешнее электрическое поле направлено

Рис. 15.12.

противоположно полю контактного слоя (рис. 15.12, б), то оно вызывает движение электронов в п-полупроводнике и дырок в р-полупроводнике к границе р-п-перехода

навстречу друг другу. В этой области они рекомбинируют, толщина контактного слоя и его сопротивление уменьшаются. Следовательно, в этом направлении электрический ток проходит сквозь р-п-переход в направлении от р-полупроводника к п-полупроводнику; оно называется пропускным (прямым).

Таким образом, р-п-переход (подобно контакту металла с полупроводником)

обладает односторонней (вентильной) проводимостью.

На рис.15.13 представлена вольт-амперная характеристика р-п-перехода. Как уже указывалось, при пропускном (прямом) напряжении внешнее электрическое поле способствует движению основных носителей тока к границе р-п-перехода (см. рис. 15.12, б). В результате толщина контактного слоя уменьшается. Соответственно уменьшается и сопротивление перехода (тем сильнее, чем больше напряжение), а сила тока становится большой (правая ветвь на рис.15.13). Этот направление тока называется прямым. При запирающем (обратном) напряжении внешнее электрическое поле препятствует движению основных носителей тока к границе р-п-перехода (см. рис. 15.12, а) и способствует движению неосновных носителей тока, концентрация которых в полупроводниках невелика. Это приводит к увеличению толщины контактного слоя, обедненного основными

Рис. 15.13.

носителями тока. Соответственно увеличивается и сопротивление перехода. Поэтому в данном случае через р-п-переход протекает только небольшой ток (он называется обратным), полностью обусловленный неосновными носителями тока (левая ветвь рис. 15.13). Быстрое возрастание этого тока означает пробой контактного слоя и его разрушение. При включении в цепь переменного тока р-п-переходы действуют как выпрямители.

Качественное объяснение фотоэффекта с волновой точки зрения на первый взгляд не должно было бы представлять трудностей. Действительно, под действием поля световой волны в металле возникают вынужденные колебания электронов, амплитуда которых (например, при резонансе) может быть достаточной для того, чтобы электроны покинули металл; тогда и наблюдается фотоэффект. Кинетическая энергия вырываемого из металла электрона должна была бы зависеть от интенсивности падающего света, так как с увеличением последней электрону передавалась бы большая энергия. Однако этот вывод противоречит II закону фотоэффекта. Так как, по волновой теории, энергия, передаваемая электронам, пропорциональна интенсивности света, то свет любой частоты, но достаточно большой интенсивности должен был бы вырывать электроны из металла; иными словами, красной границы фотоэффекта не должно быть, что противоречит III закону фотоэффекта. Кроме того, волновая теория не смогла объяснить безынерционность фотоэффекта, установленную опытами.
Примесная проводимость полупроводников